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采用二维TMA Medici模拟软件对SOI结构的串扰特性进行了分析.模拟发现随着频率的增加,SOI的埋氧化物对串扰噪声几乎不起隔离作用,同时,连接SOI结构的背衬底可以在很大程度上减小串扰的影响.还对减少串扰的沟槽隔离工艺、保护环及差分结构的有效性进行了比较分析，这一些外部寄生参数对串扰的影响也进行了研究。并给出了SOI结构厚膜和薄膜结构体掺杂浓度对噪声耦合的影响，所得到的结果对设计低噪声耦合的SOI数模混合集成电路具有指导性的作用。