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用分子束外延系统（MBE）生长了GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱（ACDQW），用组合离子注入的方法，在同一块衬底上获得了不同注入离子As^+,H^+和不同注入剂量的GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱单元，在未经快热退火的条件下，于常温下测量了光调制反射光谱，发现各单元的子带间跃迁能量最大变化范围可达80meV。