【摘 要】
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利用金属蒸气真空弧（MEVVA）离子源将Si和Er离子双注入到不同厚度热氧化SiO2/Si薄膜中获得Er掺杂硅基发光薄膜。掺杂到热氧化SiO2/Si薄膜表面的Er原子浓度可达到－10％，即体浓度－10^21
【机 构】
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复旦大学应用表面物理国家重点实验室,北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金 (批准号 :6 976 6 0 0 1),复旦大学应用表面物理国家重点实验室基金资助项目~~
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利用金属蒸气真空弧（MEVVA）离子源将Si和Er离子双注入到不同厚度热氧化SiO2/Si薄膜中获得Er掺杂硅基发光薄膜。掺杂到热氧化SiO2/Si薄膜表面的Er原子浓度可达到－10％，即体浓度－10^21cm^-3。热氧化SiO2膜越厚，溅射后SiO2保留量载多；再结晶硅颗粒结晶程度提高，逐渐纳米化；未见有大量的Er偏析或铒硅化物形成，Er大部分以固溶形式存在，在77K下获得了较强1．54μm光致发光信号，室温下发光强度温度猝灭不明显。
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