【摘 要】
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许多现代功率MOSFET在5V时达到导通电阻的低值,甚至在栅极到源极电压为5V的情况下也可达到。然而,对于大功率MOSFET,特别是绝缘栅极双极晶体管(IGBT),工程师更希望栅极到源极
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许多现代功率MOSFET在5V时达到导通电阻的低值,甚至在栅极到源极电压为5V的情况下也可达到。然而,对于大功率MOSFET,特别是绝缘栅极双极晶体管(IGBT),工程师更希望栅极到源极电压为
Many modern power MOSFETs achieve low on-resistance values at 5V, even at gate-to-source voltages of 5V. However, for high-power MOSFETs, especially insulated gate bipolar transistors (IGBTs), engineers prefer that the gate-to-source voltage be
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