【摘 要】
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日立的研究人员成功地展示了一种三端场效应器件,它比起传统的MOSFET器件,更能使硅晶体管达到较小的功能尺寸。 在日前的一次国际电子器件会议(IEDM)上,日立的Junjikoga描述
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日立的研究人员成功地展示了一种三端场效应器件,它比起传统的MOSFET器件,更能使硅晶体管达到较小的功能尺寸。 在日前的一次国际电子器件会议(IEDM)上,日立的Junjikoga描述了该小组制造的一个硅通道器件,它在室温下的主动区域为0.01微米。 日立的ULSI研究室研究经理AkiraToriumi表示,传统的
Hitachi researchers have successfully demonstrated a three-terminal field-effect device that enables silicon transistors to achieve smaller functional dimensions than traditional MOSFET devices. At a recent International Electron Devices Conference (IEDM), Junjikoga of Hitachi described a silicon channel device made by the group that has an active area of 0.01 microns at room temperature. Akira Toriumi, research manager at Hitachi’s ULSI Research Laboratory, said the traditional
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