C/C-SiC复合材料两种制备工艺及材料性能

• 作 者: 朱耘玑 邱海鹏 孙明 李秀倩 罗京华
• 机 构: 北京航空制造工程研究所
• 出 处: 航空制造技术
• 发表日期: 2009年S1期
• 关键词: C/C-SIC 液相硅渗透工艺 先驱体转化工艺 化学气相渗透工艺

以碳纤维整体毡为预制体,采用化学气相渗透法(CVI)制备出低密度碳/碳复合材料,再分别采用液相硅渗透工艺(LSI)制备出密度为2.1g/cm3的碳/碳-碳化硅复合材料(C/C-SiC),及先驱体转化工艺(PIP)制备出密度为1.9g/cm3的C/C-SiC。对2种工艺制备的C/C-SiC力学性能进行了比较,结果表明:PIP工艺制备的C/C-SiC弯曲强度为287MPa,明显高于LSI工艺制备的弯曲强度155MPa。