单片CMOS UHF RFID阅读器中低噪声LC VCO的设计

• 作 者: 何伟 徐萍 张润曦 张勇 李彬 陈子晏 马和良 赖宗声
• 机 构: 华东师范大学微电子电路与系统研究所,华东师范大学纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心
• 出 处: 固体电子学研究与进展
• 发表日期: 2010年2期
• 关键词: 互补金属氧化物半导体 电感电容压控振荡器 相位噪声 超高频射频识别 CMOS LC VCO phase noise UHF RFID

设计了一种应用于单片CMOS超高频射频识别阅读器中的低功耗、低相位噪声LC VCO。根据超高频射频识别阅读器的系统架构和协议要求,对本振相位噪声要求做出详细讨论;采用LC滤波器和低压差调压器分别对尾电流源噪声和电源噪声进行抑制,提高了VCO相位噪声性能。电路采用IBM 0.18μm RF CMOS工艺实现,电源电压3.3 V时,偏置电流为4.5 mA,中心频率为1.8 GHz,在频偏1 MHz处,相位噪声为-136.25 dBc/Hz,调谐范围为30%。