基于蒙特卡罗分析Ⅲ族氮化物输运特性的研究

• 作 者: 郑惟彬 孔月婵 陈堂胜 陈辰
• 机 构: 单片集成电路与模块国家重点试验室
• 出 处: 固体电子学研究与进展
• 发表日期: 2009年2期
• 关键词: 蒙特卡罗法 Ⅲ族氮化物 输运特性 monte carlo method Ⅲ-nitride transport characteristic

利用Silvaco软件中的蒙特卡罗算法，详细研究了Ⅲ-氮化物的速．场特性和低场迁移率特性，数值计算了掺杂浓度和晶格温度对Ⅲ-氮化物输运特性的影响。结果表明，在忽略缺陷和表面粗糙度散射的条件下，Ⅲ-氮化物的强场输运特性取决于材料的谷间散射，且当掺杂浓度小于le17cm^-3时，杂质对速-场特性的影响可忽略不计；而低场迁移率特性则主要受晶格振动散射和电离杂质散射的影响。此外，根据Ⅲ-氮化物速-场特性的模拟结果，对“速度过冲”效应提出一种新的解释。