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对SiC衬底AlGaN/GaNHEMT的结温进行了理论计算与实测。计算中考虑了衬底材料热导率随温度的变化以及器件源、漏电阻上的热损耗，不同耗散功率下的理论计算与红外显微镜实测结果比较表明，两者相差最大不超过10℃。由于理论计算结果是在解析解的基础上运用计算机迭代计算获得，所耗时间较短，故这一结果对于改善器件结构以提高AlGaN/GaNHEMT及其MMIC电路的性能将有较大帮助。