退火温度对硅基GaN薄膜质量的影响

• 作 者: 吴玉新 薛成山 庄惠照 田德恒 刘亦安 何建廷 艾玉杰 孙莉
• 机 构: 山东师范大学半导体研究所,中国科学院半导体研究所
• 出 处: 固体电子学研究与进展
• 发表日期: 2007年4期
• 关键词: 氮化镓薄膜 电泳沉积 退火温度 光致发光 GaN films electrophoretic deposition annealing temperatur
• 基金项目: 国家自然科学基金资助项目（90301002）和国家自然科学基金重大研究计划（90201025）.

采用电泳沉积法在Si（111）衬底上制备GaN薄膜，并研究退火温度对GaN薄膜晶体质量、表面形貌和发光特性的影响。傅立叶红外吸收谱（FTIR）、X射线衍射（XRD）和扫描电镜（SEM）的测试结果表明所得样品为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜，随退火温度的升高，晶粒尺寸增大，结晶化程度提高。室温下光致发光谱的测试发现了位于367nm处的强发光峰和437nm处的弱发光峰，其发光强度随退火温度的升高而增强，但发光峰的位置并不发生移动。