抑制0.1μmCMOS反向窄沟道效应新技术

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目前 ,NEC首次采用抑制过度加速扩散法抑制 0 1μmCMOS反向窄沟道效应。在低电源电压化、高集成化进展的先进LSI中 ,晶体管的微细化是最重要的课题。但是 ,下二代 0 1μm级CMOSLSI技术中问题之一是 :当MOS晶体管的沟道宽度缩小时 ,就产生晶体管阈值电 At present, NEC is the first to suppress the reverse narrow channel effect of 0 1μm CMOS by using the method of suppressing the excessive acceleration diffusion. In the low power supply voltage, high integration of advanced LSI, transistor miniaturization is the most important issue. However, one of the problems with the next-generation 0 1 μm CMOS CMOS technology is that when the channel width of the MOS transistor is reduced, the transistor threshold value is generated
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