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用射频磁控溅射法制备了富硅二氧化硅薄膜.红外(IR)透射光谱表明退火过程中发生2SiOx→xSiO2+(2-x)Si化学反应.SiO2与纳米晶硅(nc-Si)界面上与氧有关的缺陷(NBOHC)是蓝光发射(2.8eV)的主要原因.用纯二氧化硅靶制备的样品有1.8eV的发光,可能与硅缺陷有关.