论文部分内容阅读
采用射频磁控溅射方法，在n型（100）Si基底上沉积了不同厚度（20～150nm）纤锌矿结构的纳米A1N薄膜。在超高真空系统中测量了不同膜厚样品的场发射特性，发现阈值电场随着厚度的增加有增大的趋势。厚度为44nm的A1N薄膜样品具有最低的阈值电场（10V／μm），当外加电场为35V／μm时，最高发射电流密度为284μA／cm^2。A1N薄膜场发射F-N曲线表明，在外加电场作用下，电子隧穿了A1N薄膜表面势垒发射到真空。