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采用射频磁控溅射方法在ITO基片上外延掺Ag的ZnO薄膜，分别用XRD、SEM和紫外可见光分光光度计表征外延薄膜结构、形貌和光学性质。ZnO：Ag／ITO薄膜伏安特性的研究表明，ZnO：Ag与ITO形成异质结。在紫外光波长365nm、负偏压15V情况下异质结暗电流为11．2nA，光电流为198hA，灵敏度（光电流与暗电流之比）为17．7。此异质结的紫外光响应上升时间为700ms，下降时间为1．5s。