分子动力学模拟不同入射角度的SiF3＋对SiC表面的作用

来源 :材料导报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：candyshelly

【摘要】

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采用分子动力学模拟方法研究了300K入射能量150eV时，以不同角度（5°、30°、60°和75°）入射的SiF3＋与SiC表面的相互作用过程。模拟中使用了用于Si-F-C体系的Ter

【作者】

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贺平逆吕晓丹赵成利苟富均

【机构】

：

贵州大学PSI研究所MEMS课题组,贵州大学理学院,四川大学原子核科学技术研究所辐射物理及技术教育部重点实验室,荷兰皇家科学院等离子体所

【出处】

：

材料导报

【发表日期】

：

2012年2期

【关键词】

：

分子动力学 SiF3+刻蚀SiC 分子动力学模拟 SIC molecular dynamics SiF3＋ etching SiC molecular dy

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采用分子动力学模拟方法研究了300K入射能量150eV时，以不同角度（5°、30°、60°和75°）入射的SiF3＋与SiC表面的相互作用过程。模拟中使用了用于Si-F-C体系的Tersoff-Brenner势能函数。模拟结果显示，入射SiF3＋与SiC表面相互作用后会分解，分解率随着入射角度的增加而减小。分解产物除少量散射外，大部分会沉积在SiC表面，Si和F在SiC表面的平均饱和沉积量随入射角度的增加而减少。随着SiF3＋不断轰击SiC表面，SiC表面会形成Si

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