【摘 要】
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采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了具有高c轴择优取向的不同Zn缓冲层厚度的ZnO（ZnO/Zn）薄膜。利用X射线衍射（XRD）法、扫描电子显微镜（SEM）技术和光致荧光（PL）发光谱（PL）等表征了ZnO
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采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了具有高c轴择优取向的不同Zn缓冲层厚度的ZnO（ZnO/Zn）薄膜。利用X射线衍射（XRD）法、扫描电子显微镜（SEM）技术和光致荧光（PL）发光谱（PL）等表征了ZnO/Zn薄膜的微观结构和发光特性。XRD的分析结果显示,随着缓冲层厚度的增加,（002）衍射峰的半高宽（FWHM）逐渐变小,表明薄膜的结晶质量得到改善。通过对样品PL谱的研究,发现分别位于435（2.85eV）和480nm（2.55eV）的蓝光双峰以及530nm（2.34eV）的绿光峰,且缓冲层沉积时间为
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