【摘 要】
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据报导在美国弗城举行的1975年国际固体电路会议上,英特尔公司发表了一个称为2106的n沟MOS 4K RAM(随机存储器)。这种4K RAM取数时间为80毫微秒,周期时间为150毫微秒,速度为
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据报导在美国弗城举行的1975年国际固体电路会议上,英特尔公司发表了一个称为2106的n沟MOS 4K RAM(随机存储器)。这种4K RAM取数时间为80毫微秒,周期时间为150毫微秒,速度为目前市场上最快的4K RAM的三倍。存储单元采用与AMS 7001 1K RAM相类似的电荷泵浦式电路结构,如图1所示。
Intel Corp. reportedly released an n-channel MOS 4K RAM (Random Access Memory) called 2106 at the 1975 International Solid State Circuits Conference in Philadelphia, United States. This 4K RAM fetch time is 80 nanoseconds, cycle time is 150 nanoseconds, and is three times faster than the fastest 4K RAM on the market today. The memory cell uses a similar charge-pump circuit architecture to the AMS 7001 1K RAM, as shown in Figure 1.
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