【摘 要】
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讨论了VDMOS功率器件的外延层结构,结终端技术,芯片背面多层金属化的优化设计理论与器件制造工艺技术;导出了BV_(DS)≥500V,I_(DS)≥IA的VDMOS外延层结构参数和终端结构模型
【机 构】
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华中理工大学固体电子学系,华中理工大学固体电子学系,华中理工大学固体电子学系,华中理工大学固体电子学系
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讨论了VDMOS功率器件的外延层结构,结终端技术,芯片背面多层金属化的优化设计理论与器件制造工艺技术;导出了BV_(DS)≥500V,I_(DS)≥IA的VDMOS外延层结构参数和终端结构模型与参数,给出了芯片背面多层金属化的工艺条件和制造VDMOS芯片的集成电路平面工艺流程.
The structure of the epitaxial layer of VDMOS power devices, the junction termination technology, the optimized design theory of the multi-layer metallization on the back of the chip, and the device manufacturing technology are discussed. The VDMOS epitaxial layer structure with BV_ (DS )≥500V and I_ (DS) Parameters and terminal structure model and parameters, given the back of the chip multi-layer metallization process conditions and manufacturing VDMOS chip integrated circuit planar process.
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