【摘 要】
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使用感应耦合等离子体技术，通过改变源气体流量比R（R=[C4F8]／{[C4F8]＋[Ar]}）、射频源功率、自偏压等条件进行了SiO2介质刻蚀实验研究。碳氟等离子体的特征由朗谬探针和发射光谱技
【基金项目】
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国家自然科学基金(No.10305008)资助
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使用感应耦合等离子体技术，通过改变源气体流量比R（R=[C4F8]／{[C4F8]＋[Ar]}）、射频源功率、自偏压等条件进行了SiO2介质刻蚀实验研究。碳氟等离子体的特征由朗谬探针和发射光谱技术来表征。结果表明，SiO2的刻蚀速率随放电源功率和射频自偏压的增大而单调上升，与尺的关系则存在R=8％处的刻蚀速率峰值。C2基团的发射谱线强度随尺的变化类似于SiO2刻蚀速率对尺的依赖关系，对此给出了解释。在此基础上，对SiO2介质光栅进行了刻蚀。结果显示，在较大的尺及自偏压等条件下，刻蚀后的槽形呈轻微的锥形图案
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