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亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件发展对高质量的１００－２００纳米厚度的薄层ＳＯＳ薄膜提出了更高的实验证帝；采用ＣＶＤ方法生长的原生ＳＯＳ薄膜的晶体质量可以通过固相外延工艺得到明显改进，该工艺包括：硅离子自注入和热退火，Ｘ射线双晶衍射和器件电学测量表明：多晶体化的ＳＯＳ薄膜固相外延生长导致硅外延层晶体质量改进和载流子迁移率提高，固相外延改进的薄层ＳＯＳ薄膜材料能够应用于先进的ＣＭＯＳ电路。