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本文研究了在Ｓｉ的图形衬底上生长应变ＳｉＧｅ／Ｓｉ超晶格的结构和其光致发光性质。图形衬底由光刻形成的类金字塔结构组成。发现在组成例金塔结构的（１１１）面的交界处有富Ｇｅ的ＳｉＧｅ量子线出现。对相同条件下图形衬底和平面衬底上的应变ＳｉＧｅ层的光致发光谱进行比较，务形衬底上总的发光强度相对提高了５．２倍。认为这种提高同富Ｇｅ的ＳｉＧｅ量子线的产生相关。