【摘 要】
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金属-氧化物-半导体动态随机存取存储器,自1970年1KRAM达到实用化以来,其容量以每三年翻两番的增长速度向大容量发展。目前,大量生产16KRAM,同时竟先展开64KRAM的激烈研制工
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金属-氧化物-半导体动态随机存取存储器,自1970年1KRAM达到实用化以来,其容量以每三年翻两番的增长速度向大容量发展。目前,大量生产16KRAM,同时竟先展开64KRAM的激烈研制工作。此外,从大型计算机至微型计算机对16KRAM的需要量成指数函数增加。
Metal-Oxide-Semiconductor DRAMs, which have been growing in capacity at quadrupling every three years since high-performance 1KRAM became commercially available in 1970, At present, a large number of 16KRAM production, at the same time actually start the fierce development of 64KRAM. In addition, the demand for 16KRAM from the mainframe to the microcomputer increases exponentially.
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