【摘 要】
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采用液相外延技术,在CdTe衬底上连续生长P-和n-型外延层,制成了高性能的HgCdTe光电二极管。对Hg_(0.68)Cd_(0.32)Te(λ_(co)=4.0微米,200K)而言,这种二极管在高温下具有高的
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采用液相外延技术,在CdTe衬底上连续生长P-和n-型外延层,制成了高性能的HgCdTe光电二极管。对Hg_(0.68)Cd_(0.32)Te(λ_(co)=4.0微米,200K)而言,这种二极管在高温下具有高的电阻面积(R_0A)乘积,已知道在283和200K时,R_0A乘积分别为1和30欧姆厘米~2,所生长的结型二极管的饱和电流密度达0.12安/厘米~2。
Using liquid phase epitaxy technology, continuous growth of P- and n-type epitaxial layers on CdTe substrates made of high-performance HgCdTe photodiode. This diode has a high resistive area (R_A) product at high temperatures for Hg_ (0.68) Cd_ (0.32) Te (λ_ (co) = 4.0 μm, 200 K) and it is known that at 283 and 200 K the R_0A product Respectively 1 and 30 ohm cm ~ 2, the growth of the junction diode saturation current density of 0.12A / cm ~ 2.
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