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300#反应堆在二十世纪80年代开始开展单晶硅掺杂，目前有6根管道用于硅样品辐照。通过对热中子注量计算和辐照中热中子注量监测的控制，得出目标电阻率命中率达到90％以上。采用旋转电机在辐照巾旋转硅样品的方法，控制硅样品径向掺杂的不均匀性小于5％，利用管道轴向中子注量率平坦区，并进行适当的位置调整，控制硅样品轴向掺杂的不均匀性小于5％。