弛豫SiGe衬底上SiGe／SiⅡ型量子阱

• 作 者: 李代宗 黄昌俊 等
• 机 构: 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,中国科学院半导体研究所?
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2001年7期
• 关键词: 应变驰豫 Ⅱ型量子阱 硅化硅 硅 衬底 SiGe/Si strain relaxation typeⅡ quantum wells
• 基金项目: 国家自然科学基金资助项目 (批准号 :698962 60 ,687460 0 1和 697870 0 4)

采用UHV／CVD系统，在Si衬底上生长了具有渐变Si1-xGex缓冲层结构的驰豫Si0.76Ge0.24虚衬底和5周期的Si0.76Ge0.24/Si多量子阱，在渐变Si1-xGex缓冲层生长过程中引原位退火，消除了残余应力，抑制了后续生长的SiGe中的位错成核，透射电子显微照片显示，位错被有效地限制在组份变缓冲层内，而SiGe上层和SiGe/Si最子阱是无位错的，在样品的PL谱中，观察到跃迁能量为0.961eV的II型量子阱的无声子参与（NP）发光峰，由于Ⅱ型最子阱中电子和空穴不在空间同一位置，较高光