低剂量SIMOX圆片研究

• 作 者: 陈猛 陈静 等
• 机 构: 中国科学院上海冶金研究所
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2001年8期
• 关键词: 低剂量 线缺陷密度 SIMOX SOI 集成电路 low dose silicon island density Si/SiO2 int erface thre
• 基金项目: 国家自然科学基金资助项目 (No.5 992 5 2 0 5 )

用二次离子质谱，剖面透射电镜，高分辨电镜以及化学增强腐蚀法表征了低剂量SIMOX圆片的结构特征，结果显示，选择恰当的剂量能量窗口，低剂量SIMOX圆片表层Si单层质量好，线缺陷密度低埋层厚度的均匀，埋层硅岛密度低且硅／二氧化硅界面陡峭，这些研究表明，低剂量SIMOX圆片制备是很有前途的SOI制备工艺。