【摘 要】
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面对市场对高效率电源的需求,工程师们无不急切期盼快速开关、低rDS(on)的功率MOSFET能有新进展。如今,一种新颖的厚底层氧化物工艺可以让Crss减小为栅极结构器件相应参数的
【机 构】
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Vishay Siliconix公司,Vishay Siliconix公司
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面对市场对高效率电源的需求,工程师们无不急切期盼快速开关、低rDS(on)的功率MOSFET能有新进展。如今,一种新颖的厚底层氧化物工艺可以让Crss减小为栅极结构器件相应参数的一半,从而大大减少了器件导通所需的栅电荷,缩短了功率MOSFET的开关瞬态过程,同时让导通电阻保持在一个极低的水平上。这一技术对DC/DC变换器来说,意味着电路工作效率将得以提高。
Faced with the market demand for high efficiency power supply, engineers are eagerly looking forward to fast switching, low rDS (on) power MOSFET can make new progress. Today, a novel thick oxide process reduces Crss to about half the size of the gate structure, reducing the gate charge required for device turn-on and shortening the switching transients of the power MOSFET. Let the on-resistance is kept at a very low level. This technique for the DC / DC converter means that the circuit will be more efficient.
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