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本文对有源区条宽100μm的GaAsP／AlGaAs 808nm量子阱激光器分别限制结构进行了理论分析和设计．选取了三种情况的波导层和限制层的铝组分，分别计算和分析了波导层厚度与激光器光限制因子、最大出光功率、垂直发散角和阈值电流密度的函数关系．根据计算结果可知：当波导层和限制层铝组分为0．4和0．5时，采用窄波导结构可以获得器件的最大输出功率为11．2W，发散角为19°，阈值电流密度为266A／cm^2；采用宽波导结构可以得到器件的最大输出功率为9．4W，发散角为32°，阈值电流密度