【摘 要】
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介绍一种比较 GaAsMESFET 噪声系数的方法.对具有最低噪声量度(M)的器件作出 M 对栅长的关系图,并给出对其它器件可进行比较的优值图。这对于栅长给定时用来确定材料的相关值
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介绍一种比较 GaAsMESFET 噪声系数的方法.对具有最低噪声量度(M)的器件作出 M 对栅长的关系图,并给出对其它器件可进行比较的优值图。这对于栅长给定时用来确定材料的相关值以及工艺改进是有用的。
A method to compare the noise figure of GaAsMESFETs is presented. The M vs. gate length plot for the device with the lowest noise metric (M) is given, and an excellent figure of merit comparison for other devices is given. This is useful when the gate length is given to determine the value of the material as well as the process improvement.
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