氢稀释比对磁控溅射低温(100 ℃)沉积氢化微晶硅薄膜微结构特性的影响

• 作 者: 王林青 周永涛 王军军 刘雪芹
• 机 构: SchoolofScience,ChongqingKeyLaboratoryofGreenEnergyMaterialsTechnologyandSystems,CollegeofMaterialsS
• 出 处: 中南大学学报:英文版
• 发表日期: 2019年10期
• 关键词: 微晶硅薄膜 射频磁控溅射 氢稀释比例 低温 微结构 hydrogenated microcrystalline silicon films radio freq
• 基金项目: Projects(51505050,51805063)supported by the National Natural Science Foundation of China for Young Scholars,Projects(KJ1500942,KJQN201801134)supported by the Scientific and Technological Research Prog

在低温(100℃)条件下采用磁控溅射在玻璃和硅(100)衬底上沉积氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜,研究不同氢稀释比对微晶硅薄膜微结构特性的影响。结果表明:薄膜从非晶相过渡到了微晶相当氢稀释比增加到约50%,氢化微晶硅薄膜的结晶率随氢稀释比从40%增加到70%先增加后趋于稳定;薄膜的表面粗糙度随着氢稀释比的增加而增加,氢含量的变化趋势与之相反;所制备的氢化微晶硅薄膜都具有(111)择优取向,与氢稀释比无关,且薄膜结构致密。