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提出一种可用于亚微米金属氧化物场效应晶体管的器件模型，它兼具了形式简洁和精度相当于ＢＳＩＭ３模型的特点，在此基础上讨论了器件电性能与结构之间的关系，设计结果与实验结果符合良好。
一种亚微米模拟电路中MOS器件的设计方法
【摘 要】
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提出一种可用于亚微米金属氧化物场效应晶体管的器件模型，它兼具了形式简洁和精度相当于ＢＳＩＭ３模型的特点，在此基础上讨论了器件电性能与结构之间的关系，设计结果与实验结果符合良好。
【机 构】
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西安电子科技大学微电子研究所
【出 处】
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西安电子科技大学学报
【发表日期】
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2000年1期
【基金项目】
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“九五”国家重点科技攻关资助项目!( 9673 8 0 1 0 30 6 )
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