线性区工作模式下沟道中的载流子迁移率和温度梯度如何影响功率MOSFET的温度系数(TC)：理论研究、测试和仿真

• 作 者: 张彦飞 游雪兰 吴郁
• 机 构: 北京理工大学,北京理工大学,北京理工大学,
• 出 处: 电力电子
• 发表日期: 2008年01期
• 关键词: 温度系数 反型层 TC 线性区 载流子迁移率 载流子 自由电荷 沟道 功率 温度梯度

本文研究了MOSFET反型层中载流子的迁移率以及迁移率如何影响温度系数(TC)。迁移率模型中考虑了在反型层中所有的散射机构。本研究对TC进行了新的考虑,并用一个实例验证了提出的模型。

This article examines how the carrier mobility in the MOSFET inversion layer affects the temperature coefficient (TC). The mobility model takes into account all scattering mechanisms in the inversion layer. In this study, a new consideration of TC was given and an example was given to validate the proposed model.