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日前,ROHM宣布成为世界首家开发出采用沟槽结构的SiC-MOSFET,并已建立起了完备的量产体制.rn与已经在量产中的平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的导通电阻可降低50％,这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗.
ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET
【摘 要】
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日前,ROHM宣布成为世界首家开发出采用沟槽结构的SiC-MOSFET,并已建立起了完备的量产体制.rn与已经在量产中的平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的导通电阻可降低50％,这将大
【出 处】
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电子技术应用
【发表日期】
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2015年7期
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