【摘 要】
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Intel 公司研究人员研制成世界上最小的 SRAM 存储单元,仅有1μm~2。做成存储器芯片方阵的这些单元是全功能 SRAM 器件的部件,采用 Intel 公司新一代90nm工艺技术制作。这一
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Intel 公司研究人员研制成世界上最小的 SRAM 存储单元,仅有1μm~2。做成存储器芯片方阵的这些单元是全功能 SRAM 器件的部件,采用 Intel 公司新一代90nm工艺技术制作。这一成就成为实现2003年新生产工艺技术的目标。Intel 公司1μm~2 SRAM 单元为硅工艺技术建立了一个新的密度标准。这一结果使人
Intel company researchers developed the world’s smallest SRAM memory cell, only 1μm ~ 2. These cells, which are made into a memory chip array, are part of a full-featured SRAM device and are manufactured using a new generation of 90nm process technology from Intel Corporation. This achievement has become the goal of realizing the new production technology in 2003. Intel Corporation 1μm ~ 2 SRAM cells for silicon technology to establish a new density standard. This result makes people
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