【摘 要】
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低能离子溅射金属硅化物是制备半导体器件的重要工艺过程。本文总结了文献报道的Cr-Si、Mo-Si、V-Si、Ti-Si、Co-Si和Cu-Si金属硅化物经低能惰性离子轰击后表面成分变化的一
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低能离子溅射金属硅化物是制备半导体器件的重要工艺过程。本文总结了文献报道的Cr-Si、Mo-Si、V-Si、Ti-Si、Co-Si和Cu-Si金属硅化物经低能惰性离子轰击后表面成分变化的一些实验现象,用我们提出的理论修正模型计算了离子溅射修正因子,发现得到的理论修正关系能够较好的解释全部实验结果。此外,用本文的理论修正关系讨论了影响离子溅射修正因子的一些因素,给出了溅射修正因子随原子表面升华能的变化曲线,可望用于金属硅化物离子溅射的定量修正。
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