论文部分内容阅读
在研究难熔金属氮化物／ｎ－ＧａＡｓ体系的势垒特性随退火温度的变化时，发现势垒特性温度提高而有所改善。深入研究发现，在负偏压预溅射氮离子后，难熔金属／ｎ－ＧａＡｓ的势垒特性仍有此变化。硅化物与砷化镓的接触本无此特性，但预溅射氮后出现此现象，因此，人们认为有可能Ｎ在ＧａＡｓ表面形成或参与形成了一个Ｐ＾＋层。