硫化铅光敏膜的制备

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自1901年蒲斯(J. G. Bose)发现以点接触的硫化鉛矿石具有光电导現象以后,引起了科技方面的广泛注意,从而使硫化鉛光敏电阻的制造方法得到很大的改进;比灵敏度显著提高,应用范圍日見广泛。我国在这方面的研究工作由于党的密切关怀与支持,也取得很大的成績。在1956年前后由中国科学院应用物理研究所及南开大学等分别以真空蒸发法及化学沉淀法制成了硫化鉛光敏电阻,开辟了我国自制紅外綫光电元件的道路,最近几年来在这方面有較大的发展,并达到生产水平。
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