Al浓度对AZO薄膜结构和光电性能的影响

• 作 者: 李金丽 邓宏 刘财坤 袁庆亮 韦敏
• 机 构: 电子科技大学微电子与固体电子学院
• 出 处: 功能材料
• 发表日期: 2007年1期
• 关键词: AZO薄膜 X射线衍射 AFM 电阻率 AZO thin films XRD AFM resistivity

采用射频溅射方法在Si基片上制备出AZO掺杂薄膜，对薄膜进行了XRD和AFM分析，并对其电性能作了研究。结果表明，掺杂量低于15％（原子分数）时，AZO薄膜结构为纤锌矿结构，呈c轴方向择优生长，没有Al2O3相出现。薄膜的可见光透过率均在80％以上，其最高电阻率出现在掺杂量为30％（原子分数），为1．3×10^7Ω·cm。