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本文应用热激电流（TSC）方法研究了MNOS结构中界面陷阱随能量和空间分布的情况.在Wei-Simmons模型的基础上,建立了MNOS结构TSC 谱存储峰的分析理论.该理论满意地描述了实验结果,并得出所研制的MNOS结构存储陷阱分布的主要参数No、Et和d分别为1.47×1010cm-3、1.09eV和50A,模型参数τo及vo和前人的理论结果一致。本文同时确定了该MNOS结构中、超薄SiO2膜Si/SiO2界面上态密度的Dit（E）分布,其结果和MOS结构中厚SiO2膜的界面情况类似.