优质AlxGa1—xAs／GaAs（x≤0.6）SAM—APD超晶格结构的MBE生长

• 作 者: 林耀望
• 机 构: 国家光电子工艺中心集成光电子学国家实验室中国科学院半导体研究所北京100083
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 1993年11期
• 关键词: 化合物半导体 超晶格 结构 MBE生长

本文描述了采用ＶａｒｉａｎＧｅｎⅡＭＢＥ系统，和ＶＡ－１７５型砷裂解炉，以及５个“９”的铍作ｐ型掺杂剂，严格仔细地控制外廷生长过程，成功地制备了优质的Ａｌｘ－Ｇａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ（ｘ≤０．６）ＳＡＭ－ＡＰＤ超晶格结构外延材料。倍增层ｐ－Ａ１０．６Ｇａ０．４Ａｓ的载流子浓度低达２．３×１０＾１＾４ｃｍ＾－＾３；电子与空穴离化率的比值为２５．０。此材料用于制作超晶格雪崩光电探测器，器件性能有显著的