论文部分内容阅读
在波长300～1 100nm范围内,对GaAs进行了电反射光谱的研究。建立了电反射光谱的测试系统,并对实验和理论作了详细分析。推导了某一固定波长电反射光谱与半导体表面掺杂浓度的理论关系。并利用电反射光谱的实验曲线计算了GaAs的表面掺杂浓度,所得结果与电化学C—V的测试结果一致,其精度为5％。
GaAs半导体掺杂浓度的电反射光谱的研究
【摘 要】
：
在波长300～1 100nm范围内,对GaAs进行了电反射光谱的研究。建立了电反射光谱的测试系统,并对实验和理论作了详细分析。推导了某一固定波长电反射光谱与半导体表面掺杂浓度的理
【机 构】
：
东南大学电子工程系,东南大学电子工程系南京210018,南京210018,南京210018
【出 处】
：
固体电子学研究与进展
【发表日期】
：
1992年4期
其他文献
小学的教学中语文教学是一门主要的基础学科,通过语文教学可以促进小学生的个人综合素质发展。小学语文教学的任课老师应该从日常的教学活动中不断创新语文教学的教学思想,改
采用改装的直流磁控溅射设备,在适当的氧、氩气体中,对被溅射衬底加热进行YBCO材料的直流磁控溅射,溅射结束继续按温度程序控制曲线原位进行1个大气压下的氧气中退火,所得到
本文研究了经直流磁控溅射制备的TiN/GaAs肖特基结的电学特性.给出了不同退火温度下I-V,C-V测量结果及TiN/GaAs与Au/GaAs,Ti/GaAs,Al/GaAs接触特性的比较.应用AES与XPS进行肖
刘荣兴先生是施克中国的首位行业经理。于1998年2月加入施克后，担任人身安全产品的市场策划，并参加过国家标准“机械式压力机安全光幕”的起草工作，积极促进人身安全产品在国内
步入信息社会，网络发挥着越来越重要的作用，在工业领域，一个稳定的、能连接起各类设备的工业网络能帮助管理者优化企业资源的配置，降低运营成本，创造更高的生产力和更多的经济利益
本文采用衬底负偏压溅射方法对比研究了ZrN薄膜及其与GaAs的肖特基势垒特性,结果表明,该法不仅能降低ZrN薄膜电阻率,而且能增高GaAs肖特基势垒高度.文中还用不同剂量的氮离子
本文提出了一种制作HBT采用的垂直台面结构自对准工艺.利用该工艺及对A1GaAs/GaAs具有高选择比的化学湿法腐蚀剂,已研制成微波HBT.发射区台面与基极电极间隙为0.1μm,最大直
流体机械所涵盖的范围很广，其中主要包括有泵、风机、压缩机、阀门、气体分离及液化设备、气体净化设备、真空获得设备、溶解乙炔设备等。流体机械应用领域很广，其产品和技术广
期刊
W_5Si_3作为难熔栅金属材料,在高性能GaAs电路中已有良好应用.但W_5Si_3材料的电阻率为120μΩ·cm左右,在亚微米栅工艺中使栅电阻偏高,不利于降低器件噪声,特别是在MMIC