直流磁控溅射TiN／GaAs肖特基结的电学特性研究

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【摘要】

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本文研究了经直流磁控溅射制备的TiN/GaAs肖特基结的电学特性.给出了不同退火温度下I-V,C-V测量结果及TiN/GaAs与Au/GaAs,Ti/GaAs,Al/GaAs接触特性的比较.应用AES与XPS进行肖

【作者】

：

华庆恒严如岳

【机构】

：

天津电子材料研究所,天津电子材料研究所

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

1990年1期

【关键词】

：

直流磁控溅射 TiN/GaAs 肖特基结

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本文研究了经直流磁控溅射制备的TiN/GaAs肖特基结的电学特性.给出了不同退火温度下I-V,C-V测量结果及TiN/GaAs与Au/GaAs,Ti/GaAs,Al/GaAs接触特性的比较.应用AES与XPS进行肖特基结的表面和界面剖析,发现退火过程中TiN膜的氧化,N在TiN膜中的再分布及TiN-GaAs接触界面上的化学重组对肖特基结的接触特性有重要影响.

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