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【摘 要】
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使用MOCVD技术生长了980 nm VCSEL,在GaAs/AlGaAs DBR对的生长过程中通过相干反射率测量方法实现了在位监测和实时校正生长.白光反射谱测量结果表明通过上述手段准确控制了外
【机 构】
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北京工业大学电控学院光电子技术实验室
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2004年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划)，国家重点基础研究发展计划(973计划)，北京工业大学校科研和教改项目
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