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采用真空热蒸发技术在单晶硅基底上沉积PVDF薄膜，通过分析阻蒸温度对薄膜沉积速率和真空室气压变化的影响研究了PVDF镀膜过程，同时利用傅立叶变换衰减全反射红外光谱（ATR-FTIR）、X射线衍射（XRD）和差热分析（DSC）对薄膜的晶型结构进行了表征分析，结果发现，真空热蒸发技术可制备具有高度取向性的α晶相PVDF薄膜，且薄膜中不合C=C键。相比于PVDF树脂粉末，所得薄膜的结晶度明显增大而分子量显著减小，实现了PVDF薄膜的低维化制备。