20GHz低噪声高电子迁移率晶体管

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日本东芝公司以减少卫星通信地面站接收机噪声系数为目的,研制出一种超低噪声高电子迁移率晶体管(HEMT),并用这种器件研制成20GHz低噪声放大器.对于卫星通信地面站装置,从价格和设置场所等考虑,要求天线小型化,为此应用目的,要求放大器低噪声化.作为超高频低噪声放大用的半导体器件,以前 Japan Toshiba company to reduce the satellite communication ground station receiver noise factor for the purpose of developing a low noise high electron mobility transistor (HEMT), and use this device developed into a 20GHz low noise amplifier for satellite communications ground station devices, Considering the price and installation place, the antenna is required to be miniaturized, and for this purpose, the amplifier is required to be made to be low-noise. As a semiconductor device for ultra-high frequency and low-noise amplification,
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