双色制导用InGaAs探测器低温特性的研究

来源 :低温物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:q251208414
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制备了平面结InGaAs短波红外探测器,分别测量了其在室温及液氮温区的响应光谱、电流~电压曲线和光生信号及噪声,发现其光生信号与室温测量值相比下降了大约50%.在液氮温区的测试结果表明,短波探测器的峰值响应率为Rvp=2.41(107V/W),峰值探测率Dp*=1.51(1012(cmHz)1/2/W.其透射谱的测量表明该探测器的透射率能够超过80%.这些指标能够满足红外双色探测系统的需求。 The plane junction InGaAs shortwave infrared detectors were fabricated. Their response spectra, current-voltage curves and photoacoustic signals and noise were measured at room temperature and liquid nitrogen temperature respectively. The results of liquid nitrogen temperature show that the peak response rate of the shortwave detector is Rvp = 2.41 (107V / W) and the peak detection rate is Dp * = 1.51 (1012 (cmHz) 1/2 / W Measurement shows that the detector can transmit more than 80% of these indicators to meet the needs of infrared two-color detection system.
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