【摘 要】
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据《NKKEI MicroDevices》2009年第11期报道,日本Elpida存储器公司采用TSV工艺开发了8层叠装的IG DRAM芯片。电极材料由多晶硅改为低阻抗Cu,降低了功耗。该公司已开发出将微
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据《NKKEI MicroDevices》2009年第11期报道,日本Elpida存储器公司采用TSV工艺开发了8层叠装的IG DRAM芯片。电极材料由多晶硅改为低阻抗Cu,降低了功耗。该公司已开发出将微处理器、闪存、RF电路、MEMS传感器等
According to “NKKEI MicroDevices” 2009 eleventh report, Japan Elpida memory company developed using TSV process 8 stacked IG DRAM chip. Electrode material from polysilicon to low impedance Cu, reducing power consumption. The company has developed a microprocessor, flash memory, RF circuits, MEMS sensors and more
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