【摘 要】
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HgCdTe是一种有广泛应用前景的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体光电材料。从投资上看,它已为仅次于Si和GaAs的第三种最重要的半导体。HgCdTe是制作红外探测器的最佳材料。本文简要地介绍
【机 构】
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吉林大学电子科学系,吉林大学电子科学系
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HgCdTe是一种有广泛应用前景的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体光电材料。从投资上看,它已为仅次于Si和GaAs的第三种最重要的半导体。HgCdTe是制作红外探测器的最佳材料。本文简要地介绍了HsCdTe材料的性质以及它的应用和制备进展,着重描述了在红外探测器上的应用。对制备HgCdTe单晶的各种工艺方法作了比较说明,较详细地介绍了滑动液相外延(LPE)制备HgCdTe单晶薄膜技术。
HgCdTe is a kind of Ⅱ-Ⅵ compound semiconductor photoelectric material with wide application prospect. From an investment perspective, it is already the third most important semiconductor next to Si and GaAs. HgCdTe is the best material for making infrared detectors. This article briefly introduces the properties of HsCdTe material and its applications and preparation progress, highlighting the application of infrared detectors. Various fabrication methods of HgCdTe single crystal are compared and described. The technology of sliding liquid phase epitaxy (LPE) for HgCdTe single crystal thin film is introduced in detail.
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