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利用脉冲激光沉积在不同真空度下制备了不同La／O的La-Mo薄膜阴极，测量其发射性能并进行了原位AES分析，讨论了氧在镧钼阴极热电子发射中的作用。过多的氧易形成稳定的氧化镧，不利于电子发射；适当比例的氧可以减缓镧的蒸发，有助于阴极的稳定工作。La-O化合物中氧空位的形成有利于阴极的电子发射，氧缺位增强了镧氧化合物的半导体性。