纳米LaF3块体材料常温离子电导率的研究

• 作 者: 吴大雄 吴希俊 吕燕飞 王晖
• 机 构: 浙江大学材料与化学工程学院材料物理与微结构研究所
• 出 处: 中国稀土学报
• 发表日期: 2006年2期
• 关键词: 纳米晶 纳米LaF3块体材料 离子电导率 复阻抗谱 稀土 nanocrystalline nano-LaF3 bulk material ionic co

采用水溶液直接沉淀法成功制备了LaF3纳米粉体.用透射电子显微镜（TEM）观察了粒子形貌及粒度,粒子呈球形,粒径范围在10～20 nm之间,粉体单分散性良好.用X射线衍射（XRD）分析得到的平均粒径16.7 nm.采用真空高压固结法在真空度10^-4 Pa条件下常温加压至1GPa制备了纳米LaF3块体材料.采用交流阻抗谱研究了纳米LaF3的室温离子电导率,发现纳米LaF3的室温离子电导率（10^-5 S·cm^-1）和单晶LaF3的室温离子电导率（10^-6 S·cm^-1）相比有明显